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제목 한국산업기술대 나노광공학과, 'n형 전극없는 고효율 평판형 LED' 원천 기술 세계 최초 개발
작성자 관리자 날짜 2019.09.24 조회수 1117

기존의 n, p형 전극을 형성한 n-p LED(왼쪽), n형 전극이 없이 p형 전극만으로 구성된 평판형 p*-p LED(오른쪽) 개략도. p*는 항복 전도성 채널이 형성된 p-전극
<기존의 n, p형 전극을 형성한 n-p LED(왼쪽), n형 전극이 없이 p형 전극만으로 구성된 평판형 p*-p LED(오른쪽) 개략도. p*는 항복 전도성 채널이 형성된 p-전극>

한국산업기술대학교 연구팀이 '차세대 고효율 신개념 평판형 LED' 원천 기술을 선점했다.

한국산업기술대학교(총장직무대행 박철우)는 나노광공학과 이성남 교수 연구팀이 n형 전극이 존재하지 않는 고효율 신개념 평판형 LED 원천기술을 세계 최초 개발했다고 23일 밝혔다.

연구팀은 반도체 LED 역 전압 항복 파괴 현상을 이용해 형성된 전도성 채널에서 전류흐름에 대한 메커니즘을 규명한 후 이를 이용해 해당 성과를 거뒀다.

일반적인 반도체 LED는 역방향 전압인가에 따라 LED소자 항복파괴 현상이 발생해 소자를 사용하지 못하게 되는 특성을 나타낸다. 이에 기존 대부분 연구팀은 항복현상 억제기술 개발을 집중 진행해왔다.

반면 산기대 연구팀은 역 전압 항복 파괴 프로세스 중 반도체 박막을 구성하는 전도성 금속이 분해와 재증착을 통해 우수한 전기적 특성을 나타내는 '전도성 채널 형성 메커니즘'을 세계 최초로 규명했다.

이로써 평판형 LED 소자 저항을 감소시킬 수 있는 기반 기술을 확보했다. 기존 LED 조명과 차세대 마이크로 LED 디스플레이의 LED 광원으로 기존 기술을 완벽히 대체할 수 있을 것으로 기대된다.

이성남 교수는 “반도체 발광 다이오드의 역전압 항복 파괴 현상을 역으로 이용해 신개념 평판형 LED 구조를 형성할 수 있는 핵심 기술을 개발했다”면서 “이 기술은 고효율 신개념 평판형 LED 소자에 대한 원천 기술을 세계 최초로 개발한 의미가 있다”고 말했다.

이번 연구는 삼성전자 미래기술육성센터 ICT 창의과제와 한국연구재단 기본연구과제 지원을 받아 수행됐다. 해당 내용은 세계적 과학저널 네이처의 자매지 '사이언티픽 리포트'에 지난 20일자에 게재됐다.

이준희기자 jhlee@etnews.com

<출처: 전자신문>

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